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來源://fzaimi.com 作者:兆現電子 2020年09月04
Crystal激勵電平真的可以反映出晶體的性能嗎?
石英晶振的性能會受什么樣的因素影響呢?實際上這得從兩個方面來進行針對性說明;由于石英晶振大體上可分為有源晶振和無源晶振這兩種類型,而石英晶性能受影響的根本原因是不一樣的,無源晶振會被本身固有性能所限制,而有源晶振則是有所不同的;那么晶體的性能是通過什么進行表現呢?頻率穩定度?電源電壓?,激勵電平真的能夠反映出晶體的性能嗎?
通過測量晶振的驅動電平了解其使用性能,我們可以設定驅動級別由以下公式表示,因此測量目標是RL和i. DL:驅動電平
RL:晶體單元負載下的等效電阻
i:流過晶體單元的電流值(有效值)
1、“RL:負載下晶體諧振器的等效電阻”的測量方法
<概述>使用
網絡分析儀和負載電容CL jig,用于實驗的晶體單元的RL通過以下測量程序確定(當NDK晶體單元安裝在基板上*1時).措施.
(*1)如果板上沒有安裝NDK晶振單元,請準備適當的NDK晶體單元并將其用作實驗晶體單元.
<測量程序>
(1)用烙鐵拆下安裝在電路板上的石英晶體單元.
(2)去除附著在晶體單元上的多余焊料后,等到晶體單元達到室溫.
(3)石英晶體振蕩器的負載電容C大號被設定為夾具(負載電容C大號容量夾具,由規范指定的負載電容C大號).
(4)負載電容C大號夾具被設置為網絡分析儀中,根據網絡分析器手冊,晶體振蕩器自身的?大號被測量.
2、“i:流過石英晶體諧振器的電流值(有效值)”的測量方法
<總結>
將實驗晶體諧振器放置在基板上,并使用以下測量程序確定在指定溫度條件下的峰峰值電流值.測量并將其轉換為RMS值.
<測量程序>
(1)將引線連接到實驗晶體單元并將其放置在基板上,電流探頭穿過引線.
(2)在將石英晶體單元及其周圍環境穩定在指定溫度后,振蕩晶體單元并使用示波器測量峰峰值電流值.
(3)將峰峰值電流值轉換為有效值.正弦波AC有效值計算方法(見下文)用于轉換.
I有效值:流經晶體單元的電流值(有效值)
I p-p:流經石英晶振晶體單元的電流值(峰值到峰值)
事實證明, Crystal激勵電平不管是直接還是間接的,都在一定程度上反映了Crystal的性能.
石英晶振的性能會受什么樣的因素影響呢?實際上這得從兩個方面來進行針對性說明;由于石英晶振大體上可分為有源晶振和無源晶振這兩種類型,而石英晶性能受影響的根本原因是不一樣的,無源晶振會被本身固有性能所限制,而有源晶振則是有所不同的;那么晶體的性能是通過什么進行表現呢?頻率穩定度?電源電壓?,激勵電平真的能夠反映出晶體的性能嗎?
通過測量晶振的驅動電平了解其使用性能,我們可以設定驅動級別由以下公式表示,因此測量目標是RL和i. DL:驅動電平
RL:晶體單元負載下的等效電阻
i:流過晶體單元的電流值(有效值)
1、“RL:負載下晶體諧振器的等效電阻”的測量方法
<概述>使用
網絡分析儀和負載電容CL jig,用于實驗的晶體單元的RL通過以下測量程序確定(當NDK晶體單元安裝在基板上*1時).措施.
(*1)如果板上沒有安裝NDK晶振單元,請準備適當的NDK晶體單元并將其用作實驗晶體單元.
<測量程序>
(1)用烙鐵拆下安裝在電路板上的石英晶體單元.
(2)去除附著在晶體單元上的多余焊料后,等到晶體單元達到室溫.
(3)石英晶體振蕩器的負載電容C大號被設定為夾具(負載電容C大號容量夾具,由規范指定的負載電容C大號).
(4)負載電容C大號夾具被設置為網絡分析儀中,根據網絡分析器手冊,晶體振蕩器自身的?大號被測量.
2、“i:流過石英晶體諧振器的電流值(有效值)”的測量方法
<總結>
將實驗晶體諧振器放置在基板上,并使用以下測量程序確定在指定溫度條件下的峰峰值電流值.測量并將其轉換為RMS值.
<測量程序>
(1)將引線連接到實驗晶體單元并將其放置在基板上,電流探頭穿過引線.
(2)在將石英晶體單元及其周圍環境穩定在指定溫度后,振蕩晶體單元并使用示波器測量峰峰值電流值.
(3)將峰峰值電流值轉換為有效值.正弦波AC有效值計算方法(見下文)用于轉換.
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I p-p:流經石英晶振晶體單元的電流值(峰值到峰值)
事實證明, Crystal激勵電平不管是直接還是間接的,都在一定程度上反映了Crystal的性能.
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